东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）现已推出80V N沟道车载MOSFET。这是使用最新一代[1]工艺“U-MOSX-H系列”制造的首批产品，采用了SOP Advance(WF)封装，扩大了适用于车载设备48V系统的产品线。这批产品的导通电阻都很低，有助于设备节能省电；其中，“XPH2R608QB”和“XPH3R908QB”的漏源导通电阻分别为2.55mΩ（最大值）和3.9mΩ（最大值）。
近年来，车载系统正逐步向48V系统转型，旨在通过降低电流来减少功率损耗，并实现更纤薄、更轻便的线束。需使用48V车载系统专用的MOSFET，其耐压必须至少为80V，并且导通电阻很低。为满足这些要求，东芝开发了低导通电阻型80V MOSFET。
此外，该产品遵循AEC-Q101车载分立半导体器件可靠性标准，采用可焊锡侧翼[2]结构的SOP Advance(WF)贴片式封装。这种封装结构的焊锡弧角[3]能见度很高，因此可使用全自动外观检测（AVI）设备轻松验证电路板贴片条件，有助于在生产线上进行全自动检测。另外，该封装通过采用铜接头结构降低封装热阻。
东芝将继续开发适用于48V系统的车载MOSFET产品，以满足客户的不同需求，支持车载设备的各类应用。
特点
1. 80V车载MOSFET采用SOP Advance(WF)封装，导通电阻很低。
2. 采用可焊锡侧翼结构的SOP Advance(WF)封装便于对电路板贴片条件进行全自动外观检测。
特性说明
1. 80V车载MOSFET采用SOP Advance(WF)封装，导通电阻很低
该产品XPH2R608QB和XPH3R908QB是采用SOP Advance(WF)封装的首批80V车载产品。这些产品利用最新一代U-MOSX-H工艺，并采用具有铜接头结构（可降低封装热阻）的SOP Advance(WF)封装，实现了低导通电阻（RDS(ON)）。80V U-MOSX-H车载系列产品线还包括XPQR8308QB，这款产品采用高散热型L-TOGL封装。
XPH2R608QB：RDS(ON)＝2.55mΩ（最大值）（VGS＝10V）
XPH3R908QB：RDS(ON)＝3.9mΩ（最大值）（VGS＝10V）
2. 采用可焊锡侧翼结构的SOP Advance(WF)封装便于对电路板贴片条件进行全自动外观检测
SOP Advance(WF)封装在引出线截止部分采用可焊锡侧翼结构。这种结构（可焊锡侧翼）可提高焊接状态的能见度和焊料润湿性，因此便于使用全自动外观检测（AVI）设备检查元器件贴片状态，同时有助于提高可靠性。
图1：SOP Advance(WF)封装的引出线结构
图2：印刷电路板（PCB）上SOP Advance(WF)封装的贴片图
应用
・车载设备48V系统
电机驱动、开关电源、负载开关等。
主要规格
（在Ta＝25°C条件下，除非另有规定）
注：
[1] 截止2026年4月
[2] 封装侧面引线的形状
[3] 焊锡弧角是指印刷电路板上贴装的元器件的焊接部分。
应用电路示例
图3. 直流无刷电机驱动电路（N沟道型）
图4. DC-DC转换器电路（非隔离降压型）
关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
