技术报告 | Gate 和 Fin Space Variation 对应力调制及 FinFET 性能的影响 报告名称 《Gate 和 Fin Space Variation 对应力调制及 FinFET 性能的影响》 关键词 FinFET；7nm技术 ；TCAD；多晶硅间距（Poly Pitch）；鳍间距（Fin Pitch）；机械应力；晶体管性能 概述 先进 CMOS 工艺节点的器件缩微正面临愈发严峻的挑...
